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MILLIMETER-WAVE LOW-NOISE HEMTS
被引:3
作者
:
DUH, KHG
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机构:
GE,ELECTR LAB,SYRACUSE,NY 13221
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DUH, KHG
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CHAO, PC
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GE,ELECTR LAB,SYRACUSE,NY 13221
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CHAO, PC
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SMITH, PM
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GE,ELECTR LAB,SYRACUSE,NY 13221
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SMITH, PM
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LESTER, LF
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GE,ELECTR LAB,SYRACUSE,NY 13221
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LESTER, LF
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LEE, BR
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GE,ELECTR LAB,SYRACUSE,NY 13221
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LEE, BR
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HWANG, JCM
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GE,ELECTR LAB,SYRACUSE,NY 13221
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HWANG, JCM
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]
机构
:
[1]
GE,ELECTR LAB,SYRACUSE,NY 13221
来源
:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
|
1986年
/ 33卷
/ 11期
关键词
:
D O I
:
10.1109/T-ED.1986.22757
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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[1]
SHOLLEY M, 1985, IEEE MTTS DIG JUN, P555
[2]
NOISE-FIGURE CHARACTERISTICS OF 1/2-MU-M GATE SINGLE-HETEROJUNCTION HIGH-ELECTRON-MOBILITY FETS AT 35 GHZ
[J].
SOVERO, EA
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SOVERO, EA
;
GUPTA, AK
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GUPTA, AK
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HIGGINS, JA
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HIGGINS, JA
.
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,
1986,
7
(03)
:179
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共 2 条
[1]
SHOLLEY M, 1985, IEEE MTTS DIG JUN, P555
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GUPTA, AK
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HIGGINS, JA
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HIGGINS, JA
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1986,
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(03)
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