DESIGN OF MICROWAVE GAAS-MESFETS FOR BROAD-BAND, LOW-NOISE AMPLIFIER - COMMENTS

被引：18

作者：

POSPIESZALSKI, MW ^{[1
]}

WIATR, W ^{[1
]}

机构：

[1] WARSAW UNIV SCI & TECHNOL,INST ELECTR FUNDAMENTALS,PL-00661 WARSAW,POLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TMTT.1986.1133309

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：194 / 194

页数：1

共 7 条

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