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PRESERVING INP SURFACE CORRUGATIONS FOR 1.3-MU-M GAINASP-INP DFB LASERS FROM THERMAL DEFORMATION DURING LPE PROCESS
被引:34
作者
:
KINOSHITA, J
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KINOSHITA, J
OKUDA, H
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UEMATSU, Y
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UEMATSU, Y
机构
:
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1983年
/ 19卷
/ 06期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19830148
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
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(02)
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KANEKO, K
[J].
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,
1982,
58
(01)
: 180
-
184
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A NOVEL TECHNIQUE FOR GALNASP/INP BURIED HETEROSTRUCTURE LASER FABRICATION
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APPLIED PHYSICS LETTERS,
1982,
40
(07)
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UEMATSU Y, 1982, ELECTRON LETT, V18, P857, DOI 10.1049/el:19820581
[6]
UTAKA K, 1982, SPR M JAP SOC APPL P
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LOW-THRESHOLD-CURRENT DISTRIBUTED-FEEDBACK INGAASP/INP CW LASERS
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18
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UEMATSU Y, 1982, ELECTRON LETT, V18, P857, DOI 10.1049/el:19820581
[6]
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