STRUCTURAL STUDIES OF INGAAS/GAAS AND GAASP/GAP STRAINED-LAYER SUPER-LATTICES BY ION CHANNELING

被引：8

作者：

PICRAUX, ST ^{[1
]}

BIEFELD, RM ^{[1
]}

DAWSON, LR ^{[1
]}

OSBOURN, GC ^{[1
]}

CHU, WK ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV N CAROLINA, CHAPEL HILL, NC 27514 USA

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1983年 / 1卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1116/1.582578

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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