EPR OF A TRAPPED VACANCY IN BORON-DOPED SILICON

被引:80
作者
WATKINS, GD [1 ]
机构
[1] GE,SCHENECTADY,NY 12301
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1976年 / 13卷 / 06期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.13.2511
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:2511 / 2518
页数:8
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