RADIATION EFFECTS ON COMMERCIAL 4-KILOBIT NMOS MEMORIES

被引：10

作者：

MYERS, DK ^{[1
]}

机构：

[1] FAIRCHILD CAMERA & INSTR CORP,RES & DEV LAB,PALO ALTO,CA 94304

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1976.4328570

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1732 / 1737

页数：6

共 10 条

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