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RESIDUAL DONOR CONTAMINATION IN MOCVD, MOMBE AND MBE GAAS STUDIED BY FAR-INFRARED SPECTROSCOPY
被引:13
作者
:
HOLMES, S
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HOLMES, S
PHILLIPS, CC
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PHILLIPS, CC
STRADLING, RA
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STRADLING, RA
WASILEWSKI, Z
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WASILEWSKI, Z
DROOPAD, R
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DROOPAD, R
PARKER, SD
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PARKER, SD
YUEN, WT
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YUEN, WT
BALK, P
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BALK, P
BRAUERS, A
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BRAUERS, A
HEINECKE, H
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PLASS, C
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PLASS, C
WEYERS, M
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WEYERS, M
FOXON, CT
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FOXON, CT
JOYCE, BA
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JOYCE, BA
SMITH, GW
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SMITH, GW
WHITEHOUSE, CR
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WHITEHOUSE, CR
机构
:
来源
:
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
|
1989年
/ 4卷
/ 09期
关键词
:
D O I
:
10.1088/0268-1242/4/9/012
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:782 / 790
页数:9
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