PULSE-DOPED ALGAAS/INGAAS PSEUDOMORPHIC MODFETS

被引：6

作者：

MOLL, N ^{[1
]}

FISCHERCOLBRIE, A ^{[1
]}

HUESCHEN, M ^{[1
]}

机构：

[1] HEWLETT PACKARD LABS,HIGH SPEED DEVICES LAB,PALO ALTO,CA 94304

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1987年 / 34卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1987.23249

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：2357 / 2358

页数：2

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共 2 条

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HENDERSON, T ;

AKSUN, MI ;

PENG, CK ;

MORKOC, H ;

CHAO, PC ;

SMITH, PM ;

DUH, KHG ;

LESTER, LF .

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 1986, 7 (12) :649-651

[2]

Hueschen M., 1984, International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No. 84CH2099-0), P348