A NEW LOW-NOISE ALGAAS/GAAS 2DEG FET WITH A SURFACE UNDOPED LAYER - COMMENTS

被引：11

作者：

NGUYEN, LD

TASKER, PJ

SCHAFF, WJ

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1987年 / 34卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1987.23065

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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