A CHARACTERIZATION TECHNIQUE FOR SECOND BREAKDOWN IN GE ALLOYED JUNCTION TRANSISTORS

被引：1

作者：

AGATSUMA, T

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1966.15753

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：648 / +

页数：1

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共 5 条

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