BACKSCATTERING OF 1-MEV ELECTRONS FROM SILICON

被引：24

作者：

RESTER, DH

RAINWATE.WJ

机构：

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS | 1966年 / 41卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0029-554X(66)90336-3

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：51 / &

共 11 条

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