EXTRACTION OF IMPLANTATION PROFILES FROM DIFFERENTIAL BODY EFFECT OF ION-IMPLANTED MOS-TRANSISTORS

被引：6

作者：

GABLER, L ^{[1
]}

HOEFFLINGER, B ^{[1
]}

SCHNEIDER, J ^{[1
]}

ZIMMER, G ^{[1
]}

机构：

[1] DORTMUND UNIV,D-4600 DORTMUND 50,FED REP GER

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1976年 / 12卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19760198

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：257 / 258

页数：2

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共 3 条

[1] HOEFFLINGER B, 1974, P INT C ION IMPLANTA, P717
[2] HOEFFLINGER B, 1974, P WORKSHOP C ELECTRO, P43
[3] SCHEMMERT W, 1974, INT ELECTRON DEVICES, P546