ENHANCEMENT OF DONOR ACTIVITY OF IMPLANTED SELENIUM IN GAAS BY GALLIUM IMPLANTATION

被引：23

作者：

WOODCOCK, JM ^{[1
]}

机构：

[1] MULLARD RES LABS,REDHILL,SURREY,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.88706

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：226 / 227

页数：2

共 7 条

GOODE, PD .

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS, 1971, 92 (04) :447-&

[2]

Heckingbottom R., 1973, RADIAT EFF, V17, P31

[3] ARSENIC AND CADMIUM IMPLANTATIONS INTO N-TYPE GALLIUM ARSENIDE [J].

ITOH, T ;

KUSHIRO, Y .

[4]

ITOH T, 1971, 2 INT C ION IMPL SEM, P168

[5]

Sansbury J. D., 1970, Radiation Effects, V6, P269, DOI 10.1080/00337577008236306

WILLIAMS, FV .

WOODCOCK, JM ;

SHANNON, JM ;

CLARK, DJ .