RAPID ANNEALING IN IRRADIATED CMOS TRANSISTORS

被引：12

作者：

SIMONS, M ^{[1
]}

机构：

[1] RES TRIANGLE INST,RESEARCH TRIANGLE PK,NC 27709

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1974年 / NS21卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1974.6498924

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：172 / 178

页数：7

相关论文

共 16 条

[1] GREGORY BL, 1973, IEEE NUCL S, VNS20, P293
[2] HABING DH, 1973, IEEE NUCL S, VNS20, P307
[3] HARARI E, 1973, IEEE NUCL S, VNS20, P280
[4] HAUSER JJ, PRIVATE COMMUNICATIO
[5] HAUSER JR, 1969, FUNDAMENTALS SILICON, V2, P351
[6] HUGHES HL, 1969, IEEE NUCL S, VNS16, P195
[7] KJAR RA, 1971, IEEE NUCL S, VNS18, P258
[8] KJAR RA, 1969, IEEE NUCL S, VNS16, P207
[9] MICHELETTI FB, 1971, SOLID STATE TECHNOL, V14, P37
[10] MICHELETTI FB, 1971, IEEE NUCL S, VNS18, P131