THERMAL RUNAWAY OF IMPATT DIODES

被引：11

作者：

OLSON, HM ^{[1
]}

机构：

[1] BELL TEL LABS INC,READING,PA 19604

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1975年 / ED22卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1975.18099

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：165 / 168

页数：4

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共 4 条

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CROWELL, CR
[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1965, 8 (04) : 395 - &
[2] OKUTO Y, 1971, JAPAN J APPL PHY JAN, P154
[3] THEORETICAL AND EXPERIMENTAL STUDY OF GAAS IMPATT OSCILLATOR EFFICIENCY
SALMER, G
PRIBETICH, J
FARRAYRE, A
KRAMER, B
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1973, 44 (01) : 314 - 324
[4] EFFECT OF ALLOYING BEHAVIOR ON ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF N-GAAS SCHOTTKY DIODES METALLIZED WITH W, AU, AND PT
SINHA, AK
POATE, JM
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1973, 23 (12) : 666 - 668