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EXPERIMENTAL-DETERMINATION OF LARGE INTRINSIC EDGE STRESSES IN NARROW SILICON STRUCTURES
被引:1
作者
:
PAQUIN, N
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PAQUIN, N
POOKE, DM
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POOKE, DM
PEPPER, M
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PEPPER, M
GUNDLACH, A
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GUNDLACH, A
RUTHVEN, A
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RUTHVEN, A
机构
:
来源
:
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
|
1989年
/ 4卷
/ 12期
关键词
:
D O I
:
10.1088/0268-1242/4/12/010
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:1080 / 1083
页数:4
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