GAAS-(GA,AL) AS DOUBLE HETEROSTRUCTURE LIGHT EMITTING DIODE

被引：5

作者：

IKEDA, K ^{[1
]}

TANAKA, T ^{[1
]}

ISHII, M ^{[1
]}

ITO, A ^{[1
]}

机构：

[1] MITSUBISHI ELECT CORP,CENT RES LAB,4-1 MIZUHARA,ITAMI 664,HYOGO,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1975.18223

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：3