INCREASED DRAIN SATURATION CURRENT IN ULTRA-THIN SILICON-ON-INSULATOR (SOI) MOS-TRANSISTORS

被引：57

作者：

STURM, JC ^{[1
]}

TOKUNAGA, K ^{[1
]}

COLINGE, JP ^{[1
]}

机构：

[1] HEWLETT PACKARD LABS,PALO ALTO,CA 94305

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/55.6945

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：460 / 463

页数：4

共 9 条

[1] TRANSCONDUCTANCE OF SILICON-ON-INSULATOR (SOI) MOSFETS [J].

COLINGE, JP .

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