CONDUCTIVE LAYER FORMATION BY HIGH-DOSE SI ION-IMPLANTATION INTO SIO2

被引：4

作者：

MIYAKE, M

KIUCHI, K

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.95873

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：879 / 881

页数：3

共 6 条

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