1.3 MU-M INGAASP/INP DISTRIBUTED-FEEDBACK P-SUBSTRATE PARTIALLY INVERTED BURIED-HETEROSTRUCTURE LASER DIODE

被引：19

作者：

TAKEMOTO, A

SAKAKIBARA, Y

NAKAJIMA, Y

FUJIWARA, M

KAKIMOTO, S

NAMIZAKI, H

SUSAKI, W

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1987年 / 23卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19870392

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：546 / 547

页数：2

共 5 条

[1]

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