AN ULTRALOW POWER 8K-BY-8-BIT FULL CMOS RAM WITH A 6-TRANSISTOR CELL

被引：7

作者：

OCHII, K ^{[1
]}

HASHIMOTO, K ^{[1
]}

YASUDA, H ^{[1
]}

MASUDA, M ^{[1
]}

KONDO, T ^{[1
]}

NOZAWA, H ^{[1
]}

KOHYAMA, S ^{[1
]}

机构：

[1] TOSHIBA CORP,CTR RES & DEV,SEMICOND DEVICE ENGN LAB,KAWASAKI 210,JAPAN

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1982年 / 17卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1982.1051821

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：798 / 803

页数：6

共 9 条

[1]

IIZUKA T, 1980, IEEE INT SOLID STATE, P226

[2]

KNAG SD, 1981, ISSCC DIG TECH PAPER, P18

[3]

KOKKONEN K, 1981, ISSCC DIG TECH PAPER, P80

[4]

KONISHI S, 1982, IEEE INT SOLID STATE, P258

[5] 2K X 8 BIT HI-CMOS STATIC RAMS [J].

MINATO, O ;

MASUHARA, T ;

SASAKI, T ;

NAKAMURA, H ;

SAKAI, Y ;

YASUI, T ;

UCHIBORI, K .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1980, 27 (08) :1591-1595

[6]

MINATO O, 1982, ISSCC, P256

[7]

OCHII K, 1982, IEEE INT SOLID STATE, P260

[8]

OHZONE T, 1981, IEEE J SOLID STATE C, V15, P201

[9]

TSUJIDE T, 1981, ISSCC, P20

← 1 →