A NEW 3-TERMINAL TUNNEL DEVICE

被引：104

作者：

BANERJEE, S

RICHARDSON, W

COLEMAN, J

CHATTERJEE, A

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1987年 / 8卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1987.26655

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：347 / 349

页数：3

相关论文

共 4 条

[1] BANERJEE S, 1987, MAY VLSI S
[2] BUTCHER P, 1962, SOLID STATE ELECTRON, V3, P358
[3] TRENCH TRANSISTOR DRAM CELL
SHICHIJO, H
BANERJEE, SK
MALHI, SDS
POLLACK, GP
RICHARDSON, WF
BORDELON, DM
WOMACK, RH
ELAHY, M
WANG, CP
GALLIA, J
DAVIS, HE
SHAH, AH
CHATTERJEE, PK
[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 1986, 7 (02) : 119 - 121
[4] SZE SM, 1981, PHYS SEMICONDUCTOR D, P520