SCANNING TUNNELING MICROSCOPY AND POTENTIOMETRY ON A SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION

被引：97

作者：

MURALT, P ^{[1
]}

MEIER, H ^{[1
]}

POHL, DW ^{[1
]}

SALEMINK, HWM ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,DIV RES,ZURICH RES LAB,CH-8803 RUSCHLIKON,SWITZERLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.97853

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1352 / 1354

页数：3

共 5 条

[1] TUNNELING THROUGH A CONTROLLABLE VACUUM GAP [J].

BINNIG, G ;

ROHRER, H ;

GERBER, C ;

WEIBEL, E .

[2] SURFACE STUDIES BY SCANNING TUNNELING MICROSCOPY [J].

BINNING, G ;

ROHRER, H ;

GERBER, C ;

WEIBEL, E .

GERBER, C ;

BINNIG, G ;

FUCHS, H ;

MARTI, O ;

ROHRER, H .

[4] GAAS PN JUNCTION STUDIED BY SCANNING TUNNELING POTENTIOMETRY [J].

MURALT, P .

[5] SCANNING TUNNELING POTENTIOMETRY [J].

MURALT, P ;

POHL, DW .