REDUCTION OF DISLOCATION DENSITY IN GAAS/SI BY STRAINED-LAYER SUPERLATTICE OF INXGA1-XAS-GAASYP1-Y

被引:43
作者
NISHIMURA, T
MIZUGUCHI, K
HAYAFUJI, N
MUROTANI, T
机构
来源
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 07期
关键词
D O I
10.1143/JJAP.26.L1141
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:L1141 / L1143
页数:3
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