REDUCTION OF DISLOCATION DENSITY IN GAAS/SI BY STRAINED-LAYER SUPERLATTICE OF INXGA1-XAS-GAASYP1-Y

被引：43

作者：

NISHIMURA, T

MIZUGUCHI, K

HAYAFUJI, N

MUROTANI, T

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L1141

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1141 / L1143

页数：3