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REDUCTION OF DISLOCATION DENSITY IN GAAS/SI BY STRAINED-LAYER SUPERLATTICE OF INXGA1-XAS-GAASYP1-Y
被引:43
作者
:
NISHIMURA, T
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NISHIMURA, T
MIZUGUCHI, K
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MIZUGUCHI, K
HAYAFUJI, N
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HAYAFUJI, N
MUROTANI, T
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MUROTANI, T
机构
:
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
|
1987年
/ 26卷
/ 07期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.26.L1141
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:L1141 / L1143
页数:3
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