NOVEL NEGATIVE WORKING PHOTORESISTS

被引：12

作者：

CRIVELLO, JV

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2096939

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1453 / 1456

页数：4

共 8 条

[1]

BRANDRUP J, 1966, POLYM HDB, P111

[2]

Crivello J. V., 1976, J POLYM SCI S, V56, P383

CRIVELLO, JV ;

LAM, JHW .

[4]

CRIVELLO JV, 1984, ADV POLYM SCI, V62, P1

[5] POSSIBILITIES FOR PHOTOIMAGING USING ONIUM SALTS [J].

CRIVELLO, JV .

CRIVELLO, JV ;

LAM, JHW .

ITO, H ;

WILLSON, CG ;

FRECHET, JMJ ;

FARRALL, MJ ;

EICHLER, E .

[8]

Ito H., 1985, US Patent, Patent No. [4491628, 4,491,628]