INCREASING EFFECTIVE HEIGHT OF A SCHOTTKY-BARRIER USING LOW-ENERGY ION-IMPLANTATION

被引：126

作者：

SHANNON, JM ^{[1
]}

机构：

[1] MULLARD RES LABS,REDHILL,SURREY,ENGLAND

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1974年 / 25卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1655287

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：75 / 77

页数：3

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共 4 条

[1] [Anonymous], 1957, RECTIFYING SEMICONDU
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[3] BUCHER HK, 1973, APPL PHYS LETT, V23, P617, DOI 10.1063/1.1654768
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