[332] GA HABIT PLANES FORMED ON GAAS DURING BR2 - CH3OH ETCHING

被引：10

作者：

KOSZI, LA ^{[1
]}

RODE, DL ^{[1
]}

机构：

[1] BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1975年 / 122卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2134108

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：1676 / 1680

页数：5

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共 3 条

[1]

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