THE EFFECT OF CHANNEL LENGTH AND GATE OXIDE THICKNESS ON THE PERFORMANCE OF INSULATED GATE TRANSISTORS

被引：3

作者：

CHOW, TP

BALIGA, BJ

CHANG, MF

机构：

[1] GE,CORP RES & DEV,SCHENECTADY,NY 12345

[2] GE,DEPT POWER ELECTR SEMICOND,SYRACUSE,NY 13221

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1985年 / 32卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1985.22377

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：2554 / 2554

页数：1

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共 3 条

[1]

Baliga B. J., 1982, International Electron Devices Meeting. Technical Digest, P264

[2]

CHOW TP, 1985, IEEE ELECTRON DEVICE, V6

[3] THE COMFET - A NEW HIGH CONDUCTANCE MOS-GATED DEVICE [J].

RUSSELL, JP ;

GOODMAN, AM ;

GOODMAN, LA ;

NEILSON, JM .

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 1983, 4 (03) :63-65