GAAS J-FET FORMED BY LOCALIZED ZN DIFFUSION

被引：14

作者：

DOHSEN, M

KASAHARA, J

KATO, Y

WATANABE, N

机构：

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1981年 / 2卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1981.25381

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：157 / 158

页数：2

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