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GENERALIZED THEORY OF CONDUCTION IN SCHOTTKY BARRIERS
被引:22
作者
:
SIMMONS, JG
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV BRADFORD,BRADFORD BD7 1DP,W YORKSHIRE,ENGLAND
UNIV BRADFORD,BRADFORD BD7 1DP,W YORKSHIRE,ENGLAND
SIMMONS, JG
[
1
]
TAYLOR, GW
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
UNIV BRADFORD,BRADFORD BD7 1DP,W YORKSHIRE,ENGLAND
UNIV BRADFORD,BRADFORD BD7 1DP,W YORKSHIRE,ENGLAND
TAYLOR, GW
[
1
]
机构
:
[1]
UNIV BRADFORD,BRADFORD BD7 1DP,W YORKSHIRE,ENGLAND
来源
:
SOLID-STATE ELECTRONICS
|
1983年
/ 26卷
/ 07期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0038-1101(83)90029-1
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:705 / 709
页数:5
相关论文
共 3 条
[1]
BETHE HA, 1942, MIT4312 RAD LAB REP
[2]
Semi-conductor theory in barrier layers.
[J].
Schottky, W
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0
引用数:
0
h-index:
0
Schottky, W
.
NATURWISSENSCHAFTEN,
1938,
26
:843
-843
[3]
WANG S, 1966, SOLID ST ELECTRON
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BETHE HA, 1942, MIT4312 RAD LAB REP
[2]
Semi-conductor theory in barrier layers.
[J].
Schottky, W
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Schottky, W
.
NATURWISSENSCHAFTEN,
1938,
26
:843
-843
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