HOLE TRANSPORT IN SILICON THIN-FILMS WITH VARIABLE HYDROGEN CONTENT

被引：11

作者：

SHIBATA, N

ODA, S

SHIMIZU, I

机构：

[1] Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn, Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Jpn

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1987年 / 26卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L276

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

SEMICONDUCTING SILICON

引用

页码：L276 / L279

页数：4