MODELING 3RD-ORDER INTERMODULATION DISTORTION PROPERTIES OF A GAAS FET

被引：17

作者：

TUCKER, RS ^{[1
]}

RAUSCHER, C ^{[1
]}

机构：

[1] CORNELL UNIV,SCH ELECT ENGN,ITHACA,NY 14853

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1977年 / 13卷 / 17期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19770370

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：508 / 510

页数：3

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共 3 条

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