FREE CARRIER ABSORPTION IN P-TYPE SILICON

被引：45

作者：

HARA, H

NISHI, Y

机构：

来源：

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN | 1966年 / 21卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1143/JPSJ.21.1222

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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页码：1222 / &

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