DOPING PROPERTIES OF PB IN SB2TE3

被引：3

作者：

SUSSMANN, H ^{[1
]}

RAU, H ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV HALLE WITTENBERG,SEKT PHYS MARTIN LUTHER,HALLE,GER DEM REP

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1976年 / 36卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210360161

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：K55 / K58

页数：4

共 9 条

[1] CHEMICAL BONDING IN BISMUTH TELLURIDE [J].

DRABBLE, JR ;

GOODMAN, CHL .

[2]

JASCHKE R, 1965, ANN PHYS-BERLIN, V15, P106

[3]

KUHNBERGER W, 1973, THESIS U HALLE

MADIGAN, JR .

[5]

MIDDENDORFF AV, 1973, SOLID STATE COMMUN, V13, P443

[6]

MOVLANOV S, 1961, DOKL AKAD NAUK AZER, V17, P375

[7] DOPING PROPERTIES OF SB2TE3 INDICATING A 2 VALENCE BAND MODEL [J].

RONNLUND, B ;

BECKMAN, O ;

LEVY, H .

[8] DE HAAS-VAN ALPHEN SUSCEPTIBILITY MEASUREMENTS ON P-TYPE SB2TE3 [J].

SCHWARTZ, H ;

BJORCK, G ;

BECKMAN, O .

[9]

SUSSMANN H, 1973, WISS Z U HALLE, V22, P105