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HIGH-EFFICIENCY KA-BAND AND KU-BAND MESFET OSCILLATORS
被引:8
作者
:
EVANS, DH
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
EVANS, DH
机构
:
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1985年
/ 21卷
/ 06期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19850181
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:254 / 255
页数:2
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ELECTRONICS LETTERS,
1975,
11
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SOHBY MI, 1984, 14TH P EUR MICR C
[4]
VECHOVEC L, 1968, IEEE T CT, V15, P281
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LARGE-SIGNAL GAAS MESFET OSCILLATOR DESIGN
[J].
JOHNSON, KM
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Government Electronics Division, Motorola, Inc., Scottsdale
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IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES,
1979,
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[J].
PUCEL, RA
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RAYTHEON CO,RES DIV,WALTHAM,MA 02154
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1975,
11
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:219
-220
[3]
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