ORIENTATION ANALYSIS IN POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT

被引：5

作者：

ANDONOV, P ^{[1
]}

机构：

[1] CO GEN ELECT,DMT,CTR RECH,LAB MARCOUSSIS,F-91460 MARCOUSSIS,FRANCE

来源：

REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE | 1982年 / 17卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1051/rphysap:019820017010065700

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：657 / 679

页数：23

共 40 条

[1] FORMATION AND PROPERTIES OF POROUS SILICON FILM [J].

ARITA, Y ;

SUNOHARA, Y .

[2]

AUCOUTURIER M, 1981, UNPUB MEMOIRES SCI R

[3]

Belouet C., 1980, Fourteenth IEEE Photovoltaic Specialists Conference 1980, P49

[4]

BELOUET C, 1976, P COLL INT ELECTRICI, P191

[5]

BRODSKY MH, 1960, PHYS REV, V1

[6]

BRUHAT G, 1965, COURS PHYSIQUE GENER

CISZEK, TF ;

SCHWUTTKE, GH ;

YANG, KH .

[8]

CISZEK TF, 1979, IBM J RES DEV, V23

[9]

FALLY J, 1980, P INT C PHOTOVOLTAIC, P598

[10]

FISCHER H, 1977, IEEE T ELECTRON DEVI, V24, P483