STUDY OF ELECTRICAL-PROPERTIES OF SIO2 GROWN OVER PLASMA-CLEANED SILICON SURFACES

被引：5

作者：

CHANANA, RK

DWIVEDI, R

SRIVASTAVA, SK

机构：

[1] Centre for Research in Microelectronics Department, Electronics Engineering Institute, Technology Banaras Hindu University Varanasi

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(91)90047-3

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：1463 / 1465

页数：3