FREE-EXCITON RADIATION FROM P-I-N DIODES OF GAP DOPED WITH INDIUM AND OXYGEN

被引：5

作者：

TANAKA, A ^{[1
]}

SUKEGAWA, T ^{[1
]}

NIKAIDO, T ^{[1
]}

HAGINO, M ^{[1
]}

机构：

[1] SHIZUOKA UNIV,RES INST ELECTR,HAMAMATSU,JAPAN

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1976年 / 28卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1063/1.88687

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：129 / 130

页数：2

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共 4 条

[1] ENERGY-LEVEL MODEL FOR HIGH-RESISTIVITY GALLIUM ARSENIDE [J].

BLANC, J ;

WEISBERG, LR .

NATURE, 1961, 192 (479) :155-&

[2]

GARBUZOV DZ, 1974, SOV PHYS SEMICOND+, V8, P270

[3]

TANAKA A, 1973, J JAPAN SOC APPL P S, V42, P264

[4] INTRINSIC AND EXTRINSIC EDGE LUMINESCENCE IN EPITAXIAL GAP [J].

WIGHT, DR .

JOURNAL OF PHYSICS PART C SOLID STATE PHYSICS, 1968, 1 (06) :1759-&