PREPARATION OF HIGH PURITY GALLIUM ARSENIDE BY VAPOUR PHASE EPITAXIAL GROWTH

被引:147
作者
KNIGHT, JR
EFFER, D
EVANS, PR
机构
关键词
D O I
10.1016/0038-1101(65)90050-X
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:178 / &
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