HEAVILY BORON DOPED CRYSTALLINE SILICON FILMS BY PLASMA TECHNIQUE

被引：1

作者：

YOSHIDA, Y

ONUMA, Y

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS | 1983年 / 22卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.22.1222

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1222 / 1222

页数：1

共 4 条

ANDERSON, RM .

[2]

CHOUDHURY PR, 1973, J ELECTROCHEM SOC, V120, P1761

NAGASIMA, N ;

KUBOTA, N .

[4] ELECTRICAL PROPERTIES OF POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS [J].

SETO, JYW .