FABRICATION OF HEAVILY-DOPED POLYCRYSTALLINE SILICON FILM USING A LASER-DOPING TECHNIQUE

被引：17

作者：

SAMESHIMA, T

USUI, S

TOMITA, H

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L1678

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1678 / L1680

页数：3