TOTALLY DEPLETED SURFACE-BARRIER DETECTORS MADE OF ULTRAHIGH PURITY P-TYPE SILICON-CRYSTALS

被引：6

作者：

SHIRAISHI, F ^{[1
]}

HOSOE, M ^{[1
]}

TAKAMI, Y ^{[1
]}

OHSAWA, Y ^{[1
]}

机构：

[1] KOMATSU ELECT MET CO LTD,HIRATSUKA,KANAGAWA 254,JAPAN

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1982年 / 29卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1982.4335956

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：775 / 778

页数：4

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共 3 条

[1]

SHIRAISHI F, P INT S NUCL RAD DET, P191

[2]

TAJIMA M, 1978, APPLIED PHYSICS LETT, V32, P1

[3] ULTRAHIGH PURIFICATION OF SILANE FOR SEMICONDUCTOR SILICON [J].

YUSA, A ;

YATSURUGI, Y ;

TAKAISHI, T .

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1975, 122 (12) :1700-1705