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PROPERTIES OF HIGH CONDUCTIVITY PHOSPHORUS DOPED HYDROGENATED MICROCRYSTALLINE SILICON AND APPLICATION IN THIN-FILM TRANSISTOR TECHNOLOGY
被引：20
作者：
KANICKI, J
HASAN, E
GRIFFITH, J
TAKAMORI, T
TSANG, JC
机构：
来源：
AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY - 1989
|
1989年
/
149卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-149-239
中图分类号：
O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];
学科分类号：
070304 ;
081704 ;
摘要：
引用
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页码：239 / 246
页数：8
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