HIGH-SPEED LOW-POWER CIRCUITS FABRICATED USING A SUB-MICRON NMOS TECHNOLOGY

被引：2

作者：

FICHTNER, W

HOFSTATTER, EA

WATTS, RK

BAYRUNS, RJ

BECHTOLD, PF

JOHNSTON, RL

BOULIN, DM

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1985年 / 6卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1985.26266

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：662 / 664

页数：3

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