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CONTROL OF ZNSE FILM STOICHIOMETRY AT ZNSE GAAS INTERFACE GROWN BY MOCVD
被引：10
作者：
SUEMUNE, I
OHMI, K
KANDA, T
YUKUTAKE, K
KAN, Y
YAMANISHI, M
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1986年
/
25卷
/
10期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.25.L827
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L827 / L829
页数：3
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