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INJECTION-STIMULATED VACANCY REORDERING IN P-TYPE SILICON AT 76DEGREESK
被引:44
作者
:
GREGORY, BL
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
GREGORY, BL
机构
:
来源
:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1965年
/ 36卷
/ 12期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.1713944
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:3765 / &
相关论文
共 5 条
[1]
CASCADE CAPTURE OF ELECTRONS IN SOLIDS
LAX, M
论文数:
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LAX, M
[J].
PHYSICAL REVIEW,
1960,
119
(05):
: 1502
-
1523
[2]
ROSENZWEIG W, 1963, BELL SYSTEM TECH J, V42, P404
[3]
STEIN HJ, 1963, J APPL PHYS LETTERS, V2, P235
[4]
WATKINS GD, 1964, 64RL3655E GEN EL RES, P3
[5]
WATKINS GD, 1963, J PHYS SOC JAPAN S2, V18, P25
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共 5 条
[1]
CASCADE CAPTURE OF ELECTRONS IN SOLIDS
LAX, M
论文数:
0
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0
LAX, M
[J].
PHYSICAL REVIEW,
1960,
119
(05):
: 1502
-
1523
[2]
ROSENZWEIG W, 1963, BELL SYSTEM TECH J, V42, P404
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[4]
WATKINS GD, 1964, 64RL3655E GEN EL RES, P3
[5]
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