EFFECTS OF THE HELMHOLTZ LAYER CAPACITANCE ON THE POTENTIAL DISTRIBUTION AT SEMICONDUCTOR ELECTROLYTE INTERFACE AND THE LINEARITY OF THE MOTT-SCHOTTKY PLOT

被引：3

作者：

GERISCHER, H ^{[1
]}

机构：

[1] MAX PLANCK GESELL,FRITZ HABER INST,D-1000 BERLIN 33,FED REP GER

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1984年 / 131卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2148648

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

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页码：2452 / 2453

页数：2

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共 2 条

[1] INTERPRETATION OF MOTT-SCHOTTKY PLOTS DETERMINED AT SEMICONDUCTOR-ELECTROLYTE SYSTEMS
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[J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1975, 122 (05) : 711 - 712
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