SUBPICOSECOND BASE TRANSIT-TIME OBSERVED IN A HOT-ELECTRON TRANSISTOR (HET)

被引：31

作者：

MUTO, S

IMAMURA, K

YOKOYAMA, N

HIYAMIZU, S

NISHI, H

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1985年 / 21卷 / 13期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850392

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：555 / 556

页数：2

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共 3 条

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