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LOW-NOISE GAAS MESFETS
被引:10
作者
:
HEWITT, BS
论文数:
0
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0
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0
机构:
BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
HEWITT, BS
[
1
]
COX, HM
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BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
COX, HM
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]
FUKUI, H
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BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
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FUKUI, H
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DILORENZO, JV
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BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
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DILORENZO, JV
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SCHLOSSER, WO
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BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
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SCHLOSSER, WO
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]
IGLESIAS, DE
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BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
IGLESIAS, DE
[
1
]
机构
:
[1]
BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1976年
/ 12卷
/ 12期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19760238
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页数:2
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共 4 条
[1]
Barrera J. S., 1976, Microwave Journal, V19, P28
[2]
FUKUI H, TO BE PUBLISHED
[3]
[No title captured]
[4]
1976, ELECTRONICS NEWS, V21, P6
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1
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[1]
Barrera J. S., 1976, Microwave Journal, V19, P28
[2]
FUKUI H, TO BE PUBLISHED
[3]
[No title captured]
[4]
1976, ELECTRONICS NEWS, V21, P6
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