SINGLE-INJECTION MEASUREMENTS IN N-TYPE SILICON AT 4.2DEGREESK UNDER TRANSIENT CONDITIONS

被引：3

作者：

AIKEN, JG

JORDAN, AG

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1713977

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：3943 / &

共 4 条

[1]

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